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MURT10060R
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Datenblatt: | MURT10060R |
| Beschreibung: | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Diodenkonfiguration | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | Three Tower |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 25µA @ 50V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 175°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.7V @ 100A |
| Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 100A (DC) |
Auf Lager 64 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $87.54 | $85.79 | $84.07 |
Minimale: 1
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