Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MSRT200160(A)D
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Datenblatt: | MSRT200160(A)D |
| Beschreibung: | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
| Lieferanten-Gerätepaket | Three Tower |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 10µA @ 1600V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.1V @ 200A |
| Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 200A |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $78.27 | $76.70 | $75.17 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds