MBR600200CTR
Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Datenblatt: | MBR600200CTR |
Beschreibung: | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Diodentyp | Schottky |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Twin Tower |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Lieferanten-Gerätepaket | Twin Tower |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 3mA @ 200V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 920mV @ 300A |
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 300A |
Auf Lager 85 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$127.94 | $125.38 | $122.87 |
Minimale: 1