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MBR600200CTR

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: MBR600200CTR
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Diodentyp Schottky
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode
Lieferanten-Gerätepaket Twin Tower
Strom - Reverse Leakage - Vr 3mA @ 200V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 920mV @ 300A
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) 300A

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$127.94 $125.38 $122.87
Minimale: 1

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