MBR12020CTR
Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Datenblatt: | MBR12020CTR |
Beschreibung: | DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Diodentyp | Schottky |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Twin Tower |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Lieferanten-Gerätepaket | Twin Tower |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 3mA @ 20V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 650mV @ 120A |
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 120A (DC) |
Auf Lager 68 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$65.66 | $64.35 | $63.06 |
Minimale: 1