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GB01SLT12-252

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: GB01SLT12-252
Beschreibung: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Teilenummer GB01SLT12
Kapazität - Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 2µA @ 1200V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.8V @ 1A

Auf Lager 357 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.90 $2.84 $2.79
Minimale: 1

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