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GA20JT12-247

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: GA20JT12-247
Beschreibung: TRANS SJT 1.2KV 20A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ -
Verpackung Tube
Vgs (Max.) -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 70mOhm @ 20A
Verlustleistung (Max.) 282W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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