Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DB106G
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Bridge Rectifiers |
| Datenblatt: | DB106G |
| Beschreibung: | BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Diodes - Bridge Rectifiers |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | DB |
| Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 10µA @ 800V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.1V @ 1A |
Auf Lager 85 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.21 | $0.21 | $0.20 |
Minimale: 1
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