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2N7637-GA

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2N7637-GA
Beschreibung: TRANS SJT 650V 7A TO-257
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ -
Verpackung Tube
Vgs (Max.) -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-257-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 225°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 170mOhm @ 7A
Verlustleistung (Max.) 80W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 720pF @ 35V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Tc) (165°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 65 pcs

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