1N8035-GA
Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
Datenblatt: | 1N8035-GA |
Beschreibung: | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-276AA |
Basis-Teilenummer | 1N8035 |
Kapazität - Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-276 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 650V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 14.6A (DC) |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 250°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.5V @ 15A |
Auf Lager 53 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1