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1N8030-GA

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: 1N8030-GA
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Verpackung Tube
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-257-3
Basis-Teilenummer 1N8030
Kapazität - Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-257
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 650V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 750mA
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 250°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.39V @ 750mA

Auf Lager 9 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$181.92 $178.28 $174.72
Minimale: 1

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