Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
1N8026-GA
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | 1N8026-GA |
| Beschreibung: | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-257-3 |
| Basis-Teilenummer | 1N8026 |
| Kapazität - Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-257 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 10µA @ 1200V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 8A (DC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 250°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.6V @ 2.5A |
Auf Lager 1 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $198.19 | $194.23 | $190.34 |
Minimale: 1
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