Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
GS8160E32DGT-250IV
| Hersteller: | GSI Technology |
|---|---|
| Produktkategorie: | Accessories |
| Datenblatt: | GS8160E32DGT-250IV |
| Beschreibung: | SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Typ | DCD Synchronous Burst |
| Marke | GSI Technology |
| Serie | GS8160E32DGT |
| Verpackung | Tray |
| Handelsnamen | SyncBurst |
| Zugriffszeit | 5.5 ns |
| Speichergröße | 18 Mbit |
| Speichertyp | SDR |
| Unterkategorie | Memory & Data Storage |
| Hersteller | GSI Technology |
| Organisation | 512 k x 32 |
| Produkttyp | SRAM |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Montagestil | SMD/SMT |
| Paket / Fall | TQFP-100 |
| Produktkategorie | SRAM |
| Feuchtigkeitsempfindlich | Yes |
| Versorgungsstrom - Max | 245 mA, 265 mA |
| Versorgungsspannung - Max | 2.7 V |
| Versorgungsspannung - Min | 1.7 V |
| Fabrikpack-Menge | 18 |
| Maximale Taktfrequenz | 250 MHz |
| Maximale Betriebstemperatur | + 85 C |
| Minimale Betriebstemperatur | - 40 C |
Auf Lager 53 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $27.31 | $26.76 | $26.23 |
Minimale: 1
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