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MB85RE4M2TFN-G-ASE1
| Hersteller: | Fujitsu Electronics America, Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | MB85RE4M2TFN-G-ASE1 |
| Beschreibung: | IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speicherformat | FRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannung - Versorgung | 1.8V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 44-TSOP |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 150ns |
Auf Lager 87 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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