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MB85R256FPFCN-G-BNDE1

Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Beschreibung: IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Fujitsu Electronics America, Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie FRAM (Ferroelectric RAM)
Zugriffszeit 150ns
Speichergröße 256Kb (32K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat FRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 28-TSOP I
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 150ns

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.59 $4.50 $4.41
Minimale: 1

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