Image is for reference only , details as Specifications

EPC8002

Hersteller: EPC
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: EPC8002
Beschreibung: GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller EPC
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie eGaN®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) +6V, -4V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 530mOhm @ 500mA, 5V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket Die
Drain to Source Voltage (Vdss) 65V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 21pF @ 32.5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Auf Lager 55749 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SUD50N06-09L-E3
Vishay / Siliconix
$0
IRF3205PBF
Infineon Technologies
$1.34
IRLH5034TRPBF
Infineon Technologies
$0
SI7370DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
$0