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EPC2108
| Hersteller: | EPC |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | EPC2108 |
| Beschreibung: | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Leistung - Max | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 9-VFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.7A, 500mA |
Auf Lager 58 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1
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