Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
EPC2101ENGRT
| Hersteller: | EPC |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | EPC2101ENGRT |
| Beschreibung: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.7nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 300pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.5A, 38A |
Auf Lager 4000 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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