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EPC2029

Hersteller: EPC
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: EPC2029
Beschreibung: GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller EPC
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie eGaN®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) +6V, -4V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 5V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket Die
Gate Charge (Qg) (Max.) 13nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1410pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 48A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Auf Lager 4155 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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