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EPC2010C

Hersteller: EPC
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: EPC2010C
Beschreibung: GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller EPC
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie eGaN®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) +6V, -4V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 5V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket Die Outline (7-Solder Bar)
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.3nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 540pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Auf Lager 8237 pcs

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