EPC2007C
Hersteller: | EPC |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | EPC2007C |
Beschreibung: | GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | EPC |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | eGaN® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | +6V, -4V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 5V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | Die Outline (5-Solder Bar) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.2nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 220pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Auf Lager 19093 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1