Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

ZXMN2F34MATA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ZXMN2F34MATA
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-VDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.35W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket DFN322
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 277pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RSS085N05FU6TB
ROHM Semiconductor
$0
RSS065N06FU6TB
ROHM Semiconductor
$0
RSS060P05FU6TB
ROHM Semiconductor
$0
RRS130N03TB1
ROHM Semiconductor
$0
RRS125N03TB1
ROHM Semiconductor
$0