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ZXMN2A02N8TA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ZXMN2A02N8TA
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.56W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 18.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1900pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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