Image is for reference only , details as Specifications

ZXMN10B08E6TA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ZXMN10B08E6TA
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-26
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 497pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V

Auf Lager 18843 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDD5614P
ON Semiconductor
$0
ZXM62P02E6TA
Diodes Incorporated
$0
ZXMP10A13FQTA
Diodes Incorporated
$0
SI7615ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI2319DS-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0