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ZXMN10A11GTA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ZXMN10A11GTA
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 350mOhm @ 2.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 274pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 7835 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.71 $0.70 $0.68
Minimale: 1

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