Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

ZXMN10A08GTA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ZXMN10A08GTA
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 405pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 19117 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.72 $0.71 $0.69
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SPD04P10PLGBTMA1
Infineon Technologies
$0
SIR836DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated
$0.31
IRFR220TRPBF
Vishay / Siliconix
$0
CMUDM7005 TR
Central Semiconductor Corp
$0