ZXMN10A08GTA
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | ZXMN10A08GTA |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-223 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.7nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 405pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 19117 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.72 | $0.71 | $0.69 |
Minimale: 1