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ZXMC4559DN8TC

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: ZXMC4559DN8TC
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 20.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1063pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.6A, 2.6A

Auf Lager 1959 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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