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MMDT4146-7-F

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: MMDT4146-7-F
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp NPN, PNP
Basis-Teilenummer MMDT4146
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang 300MHz, 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-363
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 2mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 25V

Auf Lager 11189 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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