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MMDT4126-7-F

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: MMDT4126-7-F
Beschreibung: TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Basis-Teilenummer MMDT4126
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-363
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 2mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 25V

Auf Lager 512 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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