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MMDT2227M-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: MMDT2227M-7
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Transistortyp NPN, PNP
Basis-Teilenummer MMDT2227M
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 300MHz, 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-26
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 150mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 40V, 60V

Auf Lager 43746 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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