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MMBT5551-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MMBT5551-7
Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer MMBT5551
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 300MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Vce Sättigung (Max.) 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 160V

Auf Lager 84 pcs

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