HBDM60V600W-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Datenblatt: | HBDM60V600W-7 |
Beschreibung: | TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Serie | - |
Verpackung | Digi-Reel® |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 200mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Transistortyp | NPN, PNP |
Basis-Teilenummer | HBDM60V600 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-363 |
Vce Sättigung (Max.) | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA, 600mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 65V, 60V |
Auf Lager 10604 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1