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FMMT5179TA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: FMMT5179TA
Beschreibung: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 15dB
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 330mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer FMMT5179
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 2GHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Rauschfigur (dB-Typ f) 4.5dB @ 200MHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 25 @ 3mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 89 pcs

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