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DSS4160FDB-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: DSS4160FDB-7
Beschreibung: TRANS NPH U-DFN2020-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 405mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 NPN (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 175MHz
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)
Vce Sättigung (Max.) 240mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 150 @ 500mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 3333 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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