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DRDNB26W-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DRDNB26W-7
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp NPN - Pre-Biased + Diode
Basis-Teilenummer DRDNB26
Widerstand - Basis (R1) 220 Ohms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-363
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 4.7 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 47 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 94 pcs

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