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DRDN005W-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: DRDN005W-7
Beschreibung: TRANS NPN 80V 0.5A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp NPN + Diode (Isolated)
Basis-Teilenummer DRDN005
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-363
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 100mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

Auf Lager 87 pcs

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