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DN0150ALP4-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: DN0150ALP4-7
Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 450mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 60MHz
Lieferanten-Gerätepaket X2-DFN1006-3
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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