DMTH10H025SK3-13
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMTH10H025SK3-13 |
Beschreibung: | MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 23mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 21.4nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1544pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 46.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 90 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.23 | $0.23 | $0.22 |
Minimale: 1