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DMTH10H025SK3-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMTH10H025SK3-13
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 21.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1544pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 46.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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