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DMT8012LPS-13
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | DMT8012LPS-13 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2.1W (Ta), 113W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerDI5060-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 34nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1949pF @ 40V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Ta), 65A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 67 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.39 | $0.38 | $0.37 |
Minimale: 1
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