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DMT69M8LSS-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMT69M8LSS-13
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.25W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 33.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1925pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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