DMT69M8LPS-13
Hersteller: | Diodes Incorporated |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMT69M8LPS-13 |
Beschreibung: | MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12mOhm @ 13.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.3W (Ta), 113W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerDI5060-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 33.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1925pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.2A (Ta), 70A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 52 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1