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DMT69M8LPS-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMT69M8LPS-13
Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 33.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1925pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.2A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 52 pcs

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