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DMT6018LDR-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMT6018LDR-7
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.9W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket V-DFN3030-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 13.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 869pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.8A (Ta)

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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