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DMT6018LDR-13
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | DMT6018LDR-13 |
| Beschreibung: | MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.9W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17mOhm @ 8.2A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | V-DFN3030-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 13.9nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 869pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.8A (Ta) |
Auf Lager 63 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.31 | $0.30 | $0.30 |
Minimale: 1
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