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DMT5015LFDF-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMT5015LFDF-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 820mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-UDFN2020 (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 902.7pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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