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DMT3011LDT-7
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | DMT3011LDT-7 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.9W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | V-DFN3030-8 (Type K) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 13.2nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 641pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A, 10.7A |
Auf Lager 2995 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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