Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

DMP45H4D9HJ3

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMP45H4D9HJ3
Beschreibung: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Verlustleistung (Max.) 104W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-251
Gate Charge (Qg) (Max.) 13.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 450V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 547pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.71 $0.70 $0.68
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRFZ34NSTRRPBF
Infineon Technologies
$0.71
FCPF2250N80Z
ON Semiconductor
$0.71
AUIRLR2703TRL
Infineon Technologies
$0.71
IRFR4104TRLPBF
Infineon Technologies
$0.71
IRFR4104TRRPBF
Infineon Technologies
$0.71