DMP45H4D9HJ3
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMP45H4D9HJ3 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3, IPak, Short Leads |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.05A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 104W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-251 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 13.7nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 547pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 96 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.71 | $0.70 | $0.68 |
Minimale: 1