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DMP2006UFGQ-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMP2006UFGQ-7
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 200nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7500pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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