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DMN61D9UDW-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN61D9UDW-13
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 320mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V
Lieferanten-Gerätepaket SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 28.5pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 350mA

Auf Lager 81 pcs

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