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DMN60H4D5SK3-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN60H4D5SK3-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 41W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 273.5pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 64 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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