Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

DMN6070SY-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN6070SY-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-89-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 12.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 588pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.12 $0.12 $0.12
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMP2305UVT-7
Diodes Incorporated
$0
ES6U41T2R
ROHM Semiconductor
$0.13
AON7506
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.13
DMN2011UFDF-13
Diodes Incorporated
$0.14
DMN3026LVTQ-13
Diodes Incorporated
$0.14