Image is for reference only , details as Specifications

DMN6069SFGQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN6069SFGQ-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.4W
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1480pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.26 $0.25 $0.25
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSP320SH6433XTMA1
Infineon Technologies
$0.26
DMN30H14DLY-13
Diodes Incorporated
$0.26
AOI2610E
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.26
NVMFS5C468NLAFT1G
ON Semiconductor
$0.26
NTTFS4937NTAG
ON Semiconductor
$0.26